SG30LE-440I semiconductor de baja energía RO elemento

Detalles del producto

Se han desarrollado elementos de ósmosis inversa de grado semiconductor SG30LE-440I para cumplir con los requisitos de mayor rechazo general, un mayor rechazo de compuestos orgánicos y sílice de menor peso molecular, y un perfil de enjuague de TOC acelerado. Este elemento de área de alta superficie permite el diseño del sistema con menos elementos y una presión operativa aplicada más baja, optimizando así la amortización de los costos de capital al tiempo que reduce el costo operativo.

Propiedades típicas

1. Flujo de agua pura basado en las siguientes condiciones: 225 psi (1.55 MPa), 77 ° F (25 ° C) y 15% de recuperación.

2. Flujo de agua pura basado en las siguientes condiciones: 107 psi (0.74 MPa), 77 ° F (25 ° C) y 15% de recuperación.

3. Las tasas de flujo para elementos individuales pueden variar, pero no serán más del 15% por debajo del valor mostrado.

4. Las especificaciones del producto pueden variar las mejoras ligeras en implementación.

5. Rechazo de sal estabilizado típico (Cl-) para el elemento individual es 99.5% en las condiciones de prueba de 2,000 ppm NaCl, 225 psi (1.55 MPa) para SG30-400/34 y 150 psi (1.03 MPa) para SG30LE-440I, 77 ° F (25 ° C), pH 8 y 15% de recuperación. A TDS más bajos (<5 ppm), los rejudios de iones se reducen según la resistencia iónica, el pH y las especies iónicas.